вверхвниз
Новинка
Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
IRF1010E - це полевий транзистор з N-каналом MOSFET (метал-оксид-півпровідник з полевим ефектом), використовується для комутації та підсилення сигналів.
Характеристики:
- Канал: N-канал
- Логічний рівень: Немає
- Напруга пробою стік-истік, Vdss: 55 В
- Опір стік-истік відкритого транзистора, Rds: 0.012 Ом
- Постійний струм стоку при температурі = 25°C, Id 72 А
- Постійний струм стоку при температурі = 100°C, Id 51 А
- Максимальний тепловий опір кристал-корпус, R°C/W: 1.2 °C/Вт
- Максимальна розсіювана потужність, Pd: 130 Вт
Інформація для замовлення
- Ціна: 24 ₴